HETEROSTRUCTURES ET LEURS APPLICATIONS EN OPTOELECTRONIQUEALFEROV ZH I.1976; VEST. AKAD. NAUK S.S.S.R.; S.S.S.R.; DA. 1976; NO 7; PP. 28-40Article

PHOTOTHYRISTORS ELECTROLUMINESCENTS A BASE D'HETEROJONCTIONS DU SYSTEME GAAS-ALASALFEROV ZH I; AKHMEDOV FA; KOROL'KOV VI et al.1974; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.S.R.; DA. 1974; VOL. 8; NO 9; PP. 1741-1747; BIBL. 6 REF.Article

DECAPAGE CONTROLE DES COUCHES EPITAXIALES GAAS ET DES SOLUTIONS SOLIDES AL_XGA_1-XAS ET SON UTILISATION EN OPTIQUE INTEGREEALFEROV ZH I; GUREVICH SA; MIZEROV MN et al.1975; ZH. TEKH. FIZ.; S.S.S.R.; DA. 1975; VOL. 45; NO 12; PP. 2602-2606; BIBL. 9 REF.Article

ETUDE DE L'ELECTROLUMINESCENCE DE STRUCTURES PNPN BASEES SUR DES HETEROJONCTIONS GAASAL_X X GA_1-XASALFEROV ZH I; KOROL'KOV VI; NIKITIN VG et al.1972; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1972; VOL. 6; NO 7; PP. 1300-1305; BIBL. 8 REF.Serial Issue

COMMANDE EFFECTIVE DE LA MODULATION DE LA CONDUCTIVITE DE LA BASE DE STRUCTURES P⁺-N⁰-N⁺ EN ARSENIURE DE GALLIUMALFEROV ZH I; KOROL'KOV VI; KONICHEVA IM et al.1979; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; SUN; DA. 1979; VOL. 13; NO 2; PP. 271-280; BIBL. 9 REF.Article

MODULATION DE LA CONDUCTIVITE DE LA REGION N FAIBLEMENT DOPEE DE STRUCTURES P⁺-N-N⁺ A BASE DE SEMICONDUCTEURS A BANDES DIRECTESALFEROV ZH I; ASHKINAZI GA; KOROL'KOV VI et al.1978; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; SUN; DA. 1978; VOL. 12; NO 7; PP. 1336-1341; BIBL. 16 REF.Article

MATRICES ELECTROLUMINESCENTES MONOLITHIQUES A BASE D'HETEROJONCTIONS ALGEAS-GAASALFEROV ZH I; ANDREEV VM; SYRBU AV et al.1977; ZH. TEKH. FIZ.; S.S.S.R.; DA. 1977; VOL. 47; NO 12; PP. 2547-2554; BIBL. 17 REF.Article

ETUDE DE LA GENERATION DE DEFAUTS DANS LA PARTIE ACTIVE D'HETEROSTRUCTURES DOUBLES EN ALGAAS AUX NIVEAUX D'EXCITATION OPTIQUE ELEVESALFEROV ZH I; AGAFONOV VG; ANDREEV VM et al.1978; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1978; VOL. 12; NO 6; PP. 1054-1059; BIBL. 8 REF.Article

ETUDES DE DIODES DE PUISSANCE CONSTITUEES PAR GAASALFEROV ZH I; BERGMANN YA V; KOROL'KOV VI et al.1977; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1977; VOL. 11; NO 5; PP. 892-898; BIBL. 8 REF.Article

HETEROSTRUCTURES DU SYSTEME ALAS-GAAS OBTENUE PAR EPITAXIE LIQUIDE SELECTIVEALFEROV ZH I; ANDREEV VM; EGOROV BV et al.1978; ZH. TEKH. FIZ.; S.S.S.R.; DA. 1978; VOL. 48; NO 2; PP. 352-361; BIBL. 17 REF.Article

A SOLAR PHOTOELECTRIC INSTALLATION OF 200 W POWER BASED ON ALGAAS HETEROPHOTOELEMENTS AND MIRROR CONCENTRATORSALFEROV ZH I; ANDREEV VM; ARIPOV KH K et al.1981; GELIOTEHNIKA (TASKENT); ISSN 0130-0997; SUN; DA. 1981; NO 6; PP. 3-6; BIBL. 4 REF.Article

HETEROPHOTOELEMENT A CONVERSION INTERMEDIAIRE DU RAYONNEMENTALFEROV ZH I; ANDREEV VM; GARBUZOV DZ et al.1977; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1977; VOL. 11; NO 9; PP. 1765-1770; BIBL. 12 REF.Article

HETEROSTRUCTURES DU SYSTEME AL-GA-AS A LOCALISATION DES REGIONS DE PASSAGE DU COURANTALFEROV ZH I; ANDREEV VM; EGOROV BV et al.1977; ZH. TEKH. FIZ.; S.S.S.R.; DA. 1977; VOL. 47; NO 8; PP. 1782-1790; BIBL. 14 REF.Article

REALISATION DE CONVERTISSEUR DE RAYONNEMENT A BASE D'HETEROSTRUCTURES DU SYSTEME ALAS-GAASAGAFONOV VG; ALFEROV ZH I; ANDREEV VM et al.1977; ZH. TEKH. FIZ.; S.S.S.R.; DA. 1977; VOL. 47; NO 8; PP. 1756-1764; BIBL. 14 REF.Article

PROPRIETES ELECTROLUMINESCENTES DE JONCTIONS P-N EPITAXIALES AU GAAS AVEC REGIONS P ET N COMPENSEESALFEROV ZH I; ANDREEV VM; GARBUZOV DZ et al.1972; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1972; VOL. 6; NO 10; PP. 2027-2033; BIBL. 13 REF.Serial Issue

Progress in Epitaxial Growth and Performance of Quantum Dot and Quantum Wire Lasers : Nano-Optoelectronics and ApplicationsLEDENTSOV, Nikolai N; BIMBERG, Dieter; ALFEROV, Zh. I et al.Journal of lightwave technology. 2008, Vol 26, Num 9-12, pp 1540-1555, issn 0733-8724, 16 p.Article

STUDY OF SOLAR CELLS WITH GAAS-ALGAAS HETEROJUNCTIONS FOR HIS LEVELS OF OPTICAL EXCITATIONALFEROV ZH I; ARIPOV KH K; EGOROV BV et al.1981; Z. TEH. FIZ.; ISSN 0044-4642; SUN; DA. 1981; VOL. 51; NO 12; PP. 2550-2553; BIBL. 8 REF.Article

CARACTERISTIQUES DE PREPARATION ET PARAMETRES DES LASERS A HETEROJONCTIONS ALGAASALFEROV ZH I; ANDREEV VM; KLEPIKOVA NV et al.1974; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1974; VOL. 8; NO 7; PP. 1270-1276; BIBL. 6 REF.Article

DIODES LUMINESCENTES PUISSANTES A DEUX HETEROJONCTIONS DANS LE SYSTEME ALAS-GAASALFEROV ZH I; ANDREEV VM; GARBUZOV DF et al.1975; ZH. TEKH. FIZ.; S.S.S.R.; DA. 1975; VOL. 45; NO 2; PP. 374-381; BIBL. 10 REF.Article

DIODES LUMINESCENTES MESA A BASE DE DOUBLES HETEROSTRUCTURES DU SYSTEME ALAS-GAASALFEROV ZH I; ANDREEV VM; GARBUZOV DZ et al.1977; ZH. TEKH. FIZ.; S.S.S.R.; DA. 1977; VOL. 47; NO 8; PP. 1772-1777; BIBL. 9 REF.Article

MODELE DE POMPAGE D'UN LASER YAG=ND PAR DIODE A HETEROJONCTION ALAS-GAASALFEROV ZH I; ANDREEV VM; GARBUZOV DZ et al.1975; ZH. TEKH. FIZ.; S.S.S.R.; DA. 1975; VOL. 45; NO 2; PP. 368-373; BIBL. 7 REF.Article

Etude par la photoluminescence de la capture des porteurs dans le puits quantique d'une hétérojonction double InGaAsP/InPALFEROV, ZH. I; GORELENOK, A. T; GRUZDOV, V. G et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1987, Vol 21, Num 11, pp 1983-1988, issn 0015-3222Article

Photoluminescence d'hétérostructures InGaAsP/GaAs à effet dimensionnel quantique obtenues par la méthode d'épitaxie en phase liquideALFEROV, ZH. I; ANTONISHKIS, N. YU; ARSENT'EV, I. N et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1986, Vol 20, Num 12, pp 2145-2149, issn 0015-3222Article

Lasers à double hétérostructure InGaAsP/GaAs à injection et bas seuil, avec limite différente, obtenus par la méthode d'épitaxie en phase liquide (λ=0,78-0,87 μm, Iseuil=460 A/cm2, T=300 K)ALFEROV, ZH. I; ARSENT'EV, I. N; VAVILOVA, L. S et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1984, Vol 18, Num 9, pp 1655-1659, issn 0015-3222Article

STM and RHEED study of InAs/GaAs quantum dots obtained by submonolayer epitaxial techniquesGURYANOV, G. M; CIRLIN, G. E; GRUNDMANN, M et al.Surface science. 1996, Vol 352-54, pp 651-655, issn 0039-6028Conference Paper